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サブクラスごとに集計した統計情報

　本ページでは、IPCのサブクラスごとの特許査定率等の統計情報を掲載します。本ページの統計情報は、直近10年間に査定が発送された特許出願を対象にしています。公開公報等には複数のIPCが付与されることがありますが、特許出願に付与されたIPCのうち、発明を最も適切に表現する分類として特許出願に対して指定された指定IPC（特許情報標準データの出願マスタに記載）に基づいて集計しています。公開されていない特許出願は含みません。下記表のスクロールバーを下までスクロールすると、まだ表示されていないサブクラスの統計情報が読み込まれますが、読み込みに多少の時間を要しますのでご了承下さい。

サブクラスの文字順でソートした表

サブクラス
タイトル
特許査定数
拒絶査定数
FA後取下げ等
合計数
特許査定率(%)
一発特許査定数
一発特許査定率(%)
H01F
磁石；インダクタンス；変成器；それらの磁気特性による材料の選択［２］
8196
2921
39
11156
73.47
1783
15.98
H01G
コンデンサ；電解型のコンデンサ，整流器，検波器，開閉装置，感光装置また感温装置（誘電体としての特定の材料の選択Ｈ０１Ｂ３／００；電位障壁または表面障壁を有するコンデンサＨ０１Ｌ２９／００）
4562
2491
22
7075
64.48
958
13.54
H01H
電気的スイッチ；継電器；セレクタ；非常保護装置（接触ケーブルＨ０１Ｂ７／１０；電解自己遮断装置Ｈ０１Ｇ９／１８；非常保護回路装置Ｈ０２Ｈ；無接点電子手段による開閉Ｈ０３Ｋ１７／００）
6604
1252
86
7942
83.15
1640
20.65
H01J
電子管または放電ランプ（スパークギャップＨ０１Ｔ；消耗する電極を有するアークランプＨ０５Ｂ；粒子加速器Ｈ０５Ｈ）
5240
937
10
6187
84.69
1284
20.75
H01K
白熱ランプ（放電装置と白熱ランプの両方に使用できる細部，製造装置と製造方法Ｈ０１Ｊ；白熱発光体と他の発光体とを組み合わせた光源Ｈ０１Ｊ６１／９６，Ｈ０５Ｂ３５／００）
84
22
0
106
79.25
16
15.09
H01L
クラスＨ１０に包含されない半導体装置（測定のための半導体装置の使用Ｇ０１；抵抗器一般Ｈ０１Ｃ；磁石，インダクタまたは変成器Ｈ０１Ｆ；コンデンサ一般Ｈ０１Ｇ；電解装置Ｈ０１Ｇ９／００；電池または蓄電池Ｈ０１Ｍ；導波管，導波管型の共振器または線路Ｈ０１Ｐ；電線接続器または集電装置Ｈ０１Ｒ；誘導放出装置Ｈ０１Ｓ；電気機械的共振器Ｈ０３Ｈ；スピーカ，マイクロホン，蓄音機ピックアップまたは類似の音響電気機械変換器Ｈ０４Ｒ；電気的光源一般Ｈ０５Ｂ；印刷回路，ハイブリッド回路，電気装置の箱体または構造的細部，電気部品の組立体の製造Ｈ０５Ｋ；特別な応用をする回路への半導体装置の使用は，当該応用サブクラス参照）
78859
24520
780
104159
75.71
13681
13.13
H01M
化学的エネルギーを電気的エネルギーに直接変換するための方法または手段，例．電池［２］
48035
11255
213
59503
80.73
9219
15.49
H01P
導波管；導波管型の共振器，線路または他の装置（光周波数で動作するものＧ０２Ｂ）
1650
288
3
1941
85.01
473
24.37
H01Q
アンテナ，すなわち空中線（マイクロ波加熱用の放射器またはアンテナＨ０５Ｂ６／７２）
5284
1130
18
6432
82.15
1483
23.06
H01R
導電接続；互いに絶縁された多数の電気接続要素の構造的な集合体；嵌合装置；集電装置
12245
3169
572
15986
76.60
2826
17.68
H01S
光を増幅または生成するために，放射の誘導放出による光増幅［レーザ］を用いた装置；光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置［２０１９．０１］
4539
1735
31
6305
71.99
712
11.29
H01T
スパークギャップ；スパークギャップを用いる過電圧避雷器；スパークプラグ；コロナ放電装置；密閉されない気体中へ導入されるイオンの発生（過電圧保護回路Ｈ０２Ｈ）
1315
249
1
1565
84.03
356
22.75

※FA後取下げ等：ファーストアクション後の取下げ・放棄の数
※合計数：特許査定数＋拒絶査定数＋FA後取下げ等
※特許査定率：特許査定数／合計数
※一発特許査定数：拒絶理由通知無しの特許査定数
※​一発特許査定率：一発特許査定数／合計数
※日本国特許庁のホームページのIPC分類表に記載されていないサブクラスのタイトルは空欄

特許査定率の降順でソートした表（個々の行はサブクラスの文字順でソートした表と同じ）
※ウェブサイト作成ツールの都合上、特許査定率100.00%の行が下端付近に表示されておりますので、ご了承下さい。

サブクラス
タイトル
特許査定数
拒絶査定数
FA後取下げ等
合計数
特許査定率(%)
一発特許査定数
一発特許査定率(%)
B82B
個別の原子，分子，または限られた数の原子または分子の集合を区別された単位として操作しながら形成されたナノ構造；その製造または処理［７］
56
36
2
94
59.57
5
5.32
C07J
ステロイド（セコステロイドＣ０７Ｃ）［２］
329
216
15
560
58.75
19
3.39
D06J
布帛または衣類のひだ付け（縫製によるものＤ０５Ｂ）
7
5
0
12
58.33
0
0.00
A61P
化合物または医薬製剤の特殊な治療活性［７］
7
4
1
12
58.33
1
8.33
C40B
コンビナトリアルケミストリー　；ライブラリ，例．ケミカルライブラリ（ｉｎ　ｓｉｌｉｃｏによる核酸，蛋白質またはペプチドのコンビナトリアルライブラリＧ１６Ｂ３５／００；ｉｎ　ｓｉｌｉｃｏによるコンビナトリアルケミストリー　Ｇ１６Ｃ２０／６０）
43
32
0
75
57.33
4
5.33
G02C
眼鏡；サングラスまたは眼鏡と同様な性質をもつ限りにおいてのゴーグル；コンタクトレンズ
1478
1100
3
2581
57.26
101
3.91
C12Q
酵素，核酸または微生物を含む測定または試験方法（免疫分析Ｇ０１Ｎ３３／５３）；そのための組成物または試験紙；その組成物を調製する方法；微生物学的または酵素学的方法における状態応答制御［３］
3127
2283
52
5462
57.25
242
4.43
B82Y
ナノ構造物の特定の使用または応用；ナノ構造物の測定または分析；ナノ構造物の製造または処理［２０１１．０１］
12
9
0
21
57.14
2
9.52
G21B
核融合炉（制御されない核融合，その応用Ｇ２１Ｊ）
80
60
0
140
57.14
15
10.71
A46D
ブラシの製法
55
44
0
99
55.56
6
6.06
C07K
ペプチド（β－ラクタム環含有ペプチドＣ０７Ｄ；環状ジペプチドであって，その分子中にその環を形成するペプチド結合以外のペプチド結合を有しないもの，例．ピペラジン－２，５－ジオンＣ０７Ｄ；環状ペプチド型の麦角アルカロイドＣ０７Ｄ５１９／０２；単細胞蛋白質，酵素Ｃ１２Ｎ；ペプチドを得るための遺伝子工学的方法Ｃ１２Ｎ１５／００）［４］
3779
3049
96
6924
54.58
332
4.79
C12N
微生物または酵素；その組成物；微生物の増殖，保存，維持；突然変異または遺伝子工学；培地（微生物学的試験用の培地Ｃ１２Ｑ１／００）［３］
22386
18747
462
41595
53.82
1199
2.88

※FA後取下げ等：ファーストアクション後の取下げ・放棄の数
※合計数：特許査定数＋拒絶査定数＋FA後取下げ等
※特許査定率：特許査定数／合計数
※一発特許査定数：拒絶理由通知無しの特許査定数
※​一発特許査定率：一発特許査定数／合計数
※日本国特許庁のホームページのIPC分類表に記載されていないサブクラスのタイトルは空欄

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IPCの体系(​例：A01B1/02)
​A　　01　　B　　1　　/02

サブクラス

タイトル

直近10年間全体の統計情報

特許査定数
拒絶査定数
FA後取下げ等
合計数
特許査定率
一発特許査定数
一発特許査定率

※FA後取下げ等：ファーストアクション後の取下げ・放棄の数
※合計数：特許査定数＋拒絶査定数＋FA後取下げ等
※特許査定率：特許査定数／合計数
※一発特許査定数：拒絶理由通知無しの特許査定数
​※​一発特許査定率：一発特許査定数／合計数

直近10年間の各年の統計情報

年
特許査定数
拒絶査定数
FA後取下げ等
合計数
特許査定率
一発特許査定数
一発特許査定率

※FA後取下げ等：ファーストアクション後の取下げ・放棄の数
※合計数：特許査定数＋拒絶査定数＋FA後取下げ等
※特許査定率：特許査定数／合計数
※一発特許査定数：拒絶理由通知無しの特許査定数
​※​一発特許査定率：一発特許査定数／合計数

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